电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

74LVC2G38GT-G

产品描述Logic Gates 3.3V DUAL 2-INPUT NAND BUF
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小279KB,共21页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

74LVC2G38GT-G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
74LVC2G38GT-G - - 点击查看 点击购买

74LVC2G38GT-G概述

Logic Gates 3.3V DUAL 2-INPUT NAND BUF

74LVC2G38GT-G规格参数

参数名称属性值
Source Url Status Check Date2013-06-14 00:00:00
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明VSON, SOLCC8,.04,20
针数8
Reach Compliance Codeunknown
系列LVC/LCX/Z
JESD-30 代码R-PDSO-N8
长度1.95 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.024 A
功能数量2
输入次数2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC8,.04,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法TAPE AND REEL
电源3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup5.2 ns
传播延迟(tpd)10.8 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度1 mm

文档预览

下载PDF文档
74LVC2G38
Dual 2-input NAND gate; open drain
Rev. 11 — 8 April 2013
Product data sheet
1. General description
The 74LVC2G38 provides a 2-input NAND function.
The outputs of the 74LVC2G38 devices are open-drain and can be connected to other
open-drain outputs to implement active-LOW, wired-OR or active-HIGH wired-AND
functions.
Inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of these
devices as translators in a mixed 3.3 V and 5 V environment.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
. The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through the device
when it is powered down.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V
5 V tolerant outputs for interfacing with 5 V logic
High noise immunity
Complies with JEDEC standard:
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)
JESD8B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V)
ESD protection:
HBM EIA/JESD22-A114F exceeds 2000 V
MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V
24
mA output drive (V
CC
= 3.0 V)
CMOS low power consumption
Open-drain outputs
Latch-up performance exceeds 250 mA
Direct interface with TTL levels
Inputs accept voltages up to 5 V
Multiple package options
Specified from
40 C
to +85
C
and
40 C
to +125
C

74LVC2G38GT-G相似产品对比

74LVC2G38GT-G 74LVC2G38DC-G 74LVC2G38GN115 74LVC2G38DP-G 74LVC2G38DC
描述 Logic Gates 3.3V DUAL 2-INPUT NAND BUF Logic Gates 3.3V DUAL 2-INPUT NAND BUFFER Logic Gates Dual 2-input NAND gate Logic Gates 3.3V DUAL 2-IN NAND BUF OPEN-D Logic Gates
Source Url Status Check Date 2013-06-14 00:00:00 2013-06-14 00:00:00 - 2013-06-14 00:00:00 -
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 VSON, SOLCC8,.04,20 TSSOP, TSSOP8,.12,20 - - VSSOP,
Reach Compliance Code unknown unknown - unknown compliant
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-G8 - - R-PDSO-G8
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE - - NAND GATE
端子数量 8 8 - - 8
最高工作温度 125 °C 125 °C - - 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - - -40 °C
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN - - OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSON TSSOP - - VSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH - - SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 3.3 V - - 3.3 V
表面贴装 YES YES - - YES
技术 CMOS CMOS - - CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE - - AUTOMOTIVE
端子形式 NO LEAD GULL WING - - GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm - - 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL - - DUAL
是否无铅 - 含铅 - 含铅 不含铅
Base Number Matches - 1 - 1 1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2825  1643  1165  1891  1493  36  8  16  31  1 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved