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IRF7530PBF

产品描述MOSFET MICRO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小145KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRF7530PBF概述

MOSFET MICRO-8

IRF7530PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明LEAD FREE, MICRO-8, SOIC-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)33 mJ
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.4 A
最大漏极电流 (ID)5.4 A
最大漏源导通电阻0.03 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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PD - 95243
IRF7530PbF
HEXFET
®
Power MOSFET
Trench Technology
l
Ultra Low On-Resistance
l
Dual N-Channel MOSFET
l
Very Small SOIC Package
l
Low Profile (<1.1mm)
l
Available in Tape & Reel
l
Lead-Free
l
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
D1
D1
D2
D2
V
DSS
= 20V
R
DS(on)
= 0.030Ω
6
5
Description
New trench HEXFET
®
power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the ruggedized device design that HEXFET
Power MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use in a wide
variety of applications.
The new Micro8™ package has half the footprint area of the
standard SO-8. This makes the Micro8 an ideal device for
applications where printed circuit board space is at a premium.
The low profile (<1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily
into extremely thin application environments such as portable
electronics and PCMCIA cards.
Top View
Micro8™
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
V
GS
T
J,
T
STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy„
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
Max.
20
5.4
4.3
40
1.3
0.80
10
33
± 12
-55 to + 150
Units
V
A
W
mW/°C
mJ
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
R
θJA
Maximum Junction-to-Ambient
ƒ
Max.
100
Units
°C/W
www.irf.com
1
5/13/04

IRF7530PBF相似产品对比

IRF7530PBF IRF7530TRPBF
描述 MOSFET MICRO-8 MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 LEAD FREE, MICRO-8, SOIC-8 SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 33 mJ 33 mJ
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 5.4 A 5.4 A
最大漏源导通电阻 0.03 Ω 0.03 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8
湿度敏感等级 1 1
元件数量 2 2
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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