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IRF6710S2TR1PBF

产品描述MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 8.8nC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小298KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF6710S2TR1PBF在线购买

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IRF6710S2TR1PBF概述

MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 8.8nC

IRF6710S2TR1PBF规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
DirectFET-S1
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage25 V
Id - Continuous Drain Current37 A
Rds On - Drain-Source Resistance11.9 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.4 V to 2.4 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge8.8 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle Dual Drain
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
15 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
高度
Height
0.74 mm
长度
Length
4.85 mm
Transistor Type1 N-Channel
类型
Type
DirectFET Power MOSFET
宽度
Width
3.95 mm
Forward Transconductance - Min21 S
Fall Time6 ns
Rise Time20 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
Typical Turn-Off Delay Time5.2 ns
Typical Turn-On Delay Time7.9 ns
单位重量
Unit Weight
0.003527 oz
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