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CMPDM7002A

产品描述MOSFET In Series High Voltage Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小633KB,共4页
制造商Central Semiconductor
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CMPDM7002A概述

MOSFET In Series High Voltage Silicon

CMPDM7002A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT-23
包装说明SOT-23, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.28 A
最大漏极电流 (ID)0.28 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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CMPDM7002A
CMPDM7002AG*
SURFACE MOUNT SILICON
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM7002A
and CMPDM7002AG are special versions of the
2N7002 enhancement-mode N-Channel MOSFET
manufactured by the N-Channel DMOS Process,
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. These special devices offer low rDS(ON)
and low VDS (ON).
MARKING CODES: CMPDM7002A:
C702A
CMPDM7002AG*: 702G
SOT-23 CASE
*
Device is
Halogen Free
by design
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current
Maximum Pulsed Source Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
60
60
40
280
280
1.5
1.5
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IGSSF, IGSSR VGS=20V, VDS=0
IDSS
VDS=60V, VGS=0
IDSS
VDS=60V, VGS=0, TJ=125°C
ID(ON)
BVDSS
VGS(th)
VDS(ON)
VDS(ON)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
gFS
Crss
Ciss
Coss
VGS=10V, VDS=10V
VGS=0, ID=10μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=5.0V, ID=50mA
VGS=0, IS=400mA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=10V, ID=500mA, TJ=125°C
VGS=5.0V, ID=50mA
VGS=5.0V, ID=50mA, TJ=125°C
VDS=10V, ID=200mA
VDS=25V,
VDS=25V,
VDS=25V,
VGS=0, f=1.0MHz
VGS=0, f=1.0MHz
VGS=0, f=1.0MHz
500
60
1.0
MAX
100
1.0
500
UNITS
nA
μA
μA
mA
V
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
2.5
1.0
0.15
1.2
2.0
3.5
3.0
5.0
80
5.0
50
25
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