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SI4463DY-T1

产品描述MOSFET 20V 10A 2.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小88KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4463DY-T1在线购买

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SI4463DY-T1概述

MOSFET 20V 10A 2.5W

SI4463DY-T1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.014 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Si4463DY
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
−20
FEATURES
I
D
(A)
−13
−11
r
DS(on)
(W)
0.014 @ V
GS
=
−4.5
V
0.020 @ V
GS
=
−2.5
V
D
Lead (Pb)-Free Version is RoHS
Compliant
Available
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
Ordering Information: Si4463DY-T1
Si4463DY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
a
Pulsed Drain Current
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
10 secs
Steady State
−20
"12
Unit
V
−13
−10
−50
−2.7
3.0
1.9
−55
to 150
−9
−7
A
−1.36
1.5
0.95
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum J
M i
Junction-to-Ambient
a
ti t A bi t
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
Document Number: 71819
S-50694—Rev. C, 18-Apr-05
www.vishay.com
t
v
10 sec
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
33
70
16
Maximum
42
84
21
Unit
_C/W
C/W
1

 
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