Bridge Diode
½ノイズタイプ デュアルインライン型
Low Noise type Dual In-Line Package
LN1WBA60
600V 1.1A
特長
• ½ノイズ
• 小型 D
I
P パッケージ
■外観図 OUTLINE
Package：1W（SMD）
10.5
④
品名略号
Type No.
①
④−
①＋
Unit : mm
Weight : 0.46g typ.）
（
LNWB
6030
③∼
②∼
②
ロッ
ト記号
（例）
Date code
11
3.1
Feature
• Low Noise
• Small-D
I
P
③
級表示
（例）
Class
Package：1W（THD）
10.5
④
品名略号
Type No.
①
Unit : mm
Weight : 0.46g typ.）
（
④−
①＋
LNWB
603D
③
②
6.5
③∼
②∼
級表示
（例）
Class
ロッ
ト記号
（例）
Date code
3.1
4.6
外½図については新電元 Web サイト又は〈半導½½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the
Semiconductor Short Form Catalog. As for the marking, refer to the
specification“Marking, Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings（
指定のない場合
Tl = 25℃／
unless otherwise speci
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
）
単½
Unit
℃
℃
V
A
A
A
2
s
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
I
2
t
50Hz 正弦波，抵抗負荷，Ta = 25℃
50Hz sine wave, Resistance load, Ta= 25℃
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj= 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj =25℃
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃， １素子½たりの規格値
per
diode
品 名
Type No.
LN1WBA60
−40∼150
150
600
1.1
50
6
●電気的・熱的特性 Electrical
Characteristics（
指定のない場合
Tl = 25℃／
unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
逆回復時間
Reverse Recovery Time
熱抵抗
Thermal Resistance
）
V
μA
μs
℃/W
V
F
I
R
trr
θjl
θja
パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R =
V
RM, パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
１素子½たりの規格値
I
F =
0.1A, I
R
= 0.1A,
per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
I
F =
0.55A,
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
1.0
10
5
10
65
26
（J534）
京公网安备 11010802033920号
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