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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IPI024N06N3GXKSA1

IPI024N06N3GXKSA1: 产品描述MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小999KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IPI024N06N3GXKSA1概述

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3

IPI024N06N3GXKSA1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-262AA
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	634 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	120 A
最大漏源导通电阻	0.0024 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	480 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IPI024N06N3GXKSA1相似产品对比

	IPI024N06N3GXKSA1	IPP024N06N3-G	IPB021N06N3 G	IPP024N06N3GHKSA1	IPP024N06N3GXKSA1	IPI024N06N3GHKSA1
描述	MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3	MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS 3	MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2	MOSFET MV POWER MOS	MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3	MOSFET MV POWER MOS
系列 Packaging	-	Tube	Reel	Tube	Tube	Tube
Product Attribute	-	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
产品种类 Product Category	-	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET
技术 Technology	-	Si	Si	Si	Si	Si
安装风格 Mounting Style	-	Through Hole	SMD/SMT	Through Hole	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	-	TO-220-3	TO-263-3	TO-220-3	TO-220-3	TO-262-3
高度 Height	-	15.65 mm	4.4 mm	15.65 mm	15.65 mm	9.45 mm
长度 Length	-	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10.2 mm
宽度 Width	-	4.4 mm	9.25 mm	4.4 mm	4.4 mm	4.5 mm
单位重量 Unit Weight	-	0.211644 oz	0.139332 oz	0.211644 oz	0.211644 oz	0.084199 oz

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