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1N4454

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N4454概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching

1N4454规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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• 1N4454 and IN4454-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX,
AND
JANTXV
PER MIL-PRF-19500/144
• SWITCHING DIODE
• HERMETICALLY SEALED
• METALLURGICALLY BONDED
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
1N4454
1N4454-1
MAXIMUM RATINGS
Junction Temperature: -55°C to +175°C
Storage Temperature: -55°C to +175°C
Operating Current: 200 mA @ TA = +25°C
Derating Factor: 1.33 mA/°C Above TA = + 25°C
Surge Current A: 1A (pk), Pw = 1 sec
Surge Current B: 4A (pk), Pw = 1 µs
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
VBR
@5µA
V RWM
I0
Vf 1
I F = 10 mA
@
Vf 2
I F = 10 mA
@
TA = 150°C
t rr
Volts
75
Volts (pk)
50
mA
200
V dc
1.0
V dc
0.7
n sec
4
FIGURE 1
I R1
@ 50 V dc
I R2
@ 50 V
TA = 150°C
CAPACITANCE
@0V
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed
glass case per MIL-S-19500/144
D0-35 outline
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE:
(ROJL):
250 ˚C/W maximum at L = .375
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 70
˚C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING POSITION:
Any.
µA
0.1
µA
100
pF
2.0
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com

1N4454相似产品对比

1N4454 HR14856000.1LF 1N4454-1
描述 Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Fixed Resistor, Wire Wound, 0.5W, 85600ohm, 300V, 0.1% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 2 2 2
封装形状 ROUND TUBULAR PACKAGE ROUND
封装形式 LONG FORM Axial LONG FORM
是否无铅 含铅 - 含铅
厂商名称 Microsemi - Microsemi
Is Samacsys N - N
其他特性 METALLURGICALLY BONDED - METALLURGICALLY BONDED
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 - DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 - O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 - e0
元件数量 1 - 1
最高工作温度 175 °C 145 °C -
最低工作温度 -65 °C -65 °C -
最大输出电流 0.2 A - 0.2 A
封装主体材料 GLASS - GLASS
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W - 0.5 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大反向恢复时间 0.004 µs - 0.004 µs
表面贴装 NO - NO
端子面层 TIN LEAD - TIN LEAD
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 - 1
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