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IRLI640GPBF

产品描述MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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IRLI640GPBF在线购买

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IRLI640GPBF概述

MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp

IRLI640GPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)290 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9.9 A
最大漏极电流 (ID)9.9 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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