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NSS12600CF8T1G

产品描述Bipolar Transistors - BJT SBN BE (MY1) CHPFET 12V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NSS12600CF8T1G概述

Bipolar Transistors - BJT SBN BE (MY1) CHPFET 12V

NSS12600CF8T1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明LEAD FREE, MINIATURE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8
针数8
制造商包装代码1206A-03
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PDSO-C8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)265
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)2.75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
最大关闭时间(toff)590 ns
最大开启时间(吨)350 ns
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