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VS-60CTQ035PBF

产品描述Schottky Diodes & Rectifiers 2x30 Amp 35 Volt 1500 Amp IFSM
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小154KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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VS-60CTQ035PBF在线购买

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VS-60CTQ035PBF概述

Schottky Diodes & Rectifiers 2x30 Amp 35 Volt 1500 Amp IFSM

VS-60CTQ035PBF规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.72 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
最大重复峰值反向电压35 V
最大反向电流2000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1

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VS-60CTQ...PbF Series, VS-60CTQ...-N3 Series
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Base 2
common
cathode
FEATURES
150 °C T
J
operation
Low forward voltage drop
High frequency operation
High
purity,
high
temperature
epoxy
encapsulation for enhanced mechanical
strength and moisture resistance
Guard ring for enhanced ruggedness and long
term reliability
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Designed and qualified according to JEDEC-JESD47
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
(-N3 only)
Anode
TO-220AB
Anode
2
1 Common 3
cathode
PRODUCT SUMMARY
Package
I
F(AV)
V
R
V
F
at I
F
I
RM
max.
T
J
max.
Diode variation
E
AS
TO-220AB
2 x 30 A
35 V, 40 V, 45 V
0.53 V
250 mA at 125 °C
150 °C
Common cathode
20 mJ
DESCRIPTION
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier
technology allows for reliable operation up to 150 °C
junction temperature. Typical applications are in switching
power supplies, converters, freewheeling diodes, and
reverse battery protection.
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FRM
I
FSM
V
F
T
J
T
C
= 113 °C (per leg)
t
p
= 5 μs sine
30 A
pk
, T
J
= 125 °C
Range
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform (per device)
VALUES
60
35 to 45
60
1500
0.53
- 65 to 150
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC
reverse voltage
Maximum working
peak reverse
voltage
SYMBOL
V
R
35
V
RWM
35
40
40
45
45
V
VS-
VS-
VS-
VS-
VS-
VS-
UNITS
60CTQ035PbF 60CTQ035-N3 60CTQ040PbF 60CTQ040-N3 60CTQ045PbF 60CTQ045-N3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average
forward current
per leg
per device
SYMBOL
I
F(AV)
I
FRM
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
TEST CONDITIONS
50 % duty cycle at T
C
= 113 °C, rectangular waveform
Rated V
R
, square wave, 20 kHz, T
C
= 113 °C
5 µs sine or 3 µs rect. pulse
Following any rated load
condition and with rated
V
RRM
applied
VALUES
30
60
60
1500
300
20
3
mJ
A
A
UNITS
Peak repetitive forward current per leg
Maximum peak one cycle non-repetitive
surge current per leg
Non-repetitive avalanche energy per leg
Repetitive avalanche current per leg
Revision: 29-Aug-11
T
J
= 25 °C, I
AS
= 3 A, L = 4.40 mH
Current decaying linearly to zero in 1 μs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Document Number: 94239
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
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