NVRAM (128x8) 1k 1.8-6.0
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | Operational Amplifiers |
| 最长访问时间 | 375 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 9.27 mm |
| 内存密度 | 256 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 16 words |
| 字数代码 | 16 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 16X16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.33 mm |
| 最大待机电流 | 0.00003 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| CAT24C44LI | CAT24C44VI | CAT24C44VI-GT3 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | NVRAM (128x8) 1k 1.8-6.0 | NVRAM 256-Bit Serial N.V. RAM | NVRAM 256-Bit Serial N.V. RAM |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | GREEN, SOIC-8 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOIC-8 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e4 |
| 长度 | 9.27 mm | 4.9 mm | 4.9 mm |
| 内存密度 | 256 bit | 256 bit | 256 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 字数 | 16 words | 16 words | 16 words |
| 字数代码 | 16 | 16 | 16 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 16X16 | 16X16 | 16X16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 | 260 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.33 mm | 1.75 mm | 1.75 mm |
| 最大待机电流 | 0.00003 A | 0.00003 A | 0.00003 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 40 | 40 |
| 宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm | 3.9 mm |
| 最长访问时间 | 375 ns | 375 ns | - |
| 湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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