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SI4408DY-T1

产品描述MOSFET 20V 21A 1.6W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小159KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4408DY-T1概述

MOSFET 20V 21A 1.6W

SI4408DY-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)14 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.5 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

SI4408DY-T1相似产品对比

SI4408DY-T1 SI4408DY
描述 MOSFET 20V 21A 1.6W MOSFET 20V 21A 3.5W
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 14 A 14 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.5 W 3.5 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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