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AUIRF1404STRR: 产品描述MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小301KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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AUIRF1404STRR概述

MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms

AUIRF1404STRR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	519 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	75 A
最大漏极电流 (ID)	75 A
最大漏源导通电阻	0.004 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	650 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

AUIRF1404STRR相似产品对比

	AUIRF1404STRR	AUIRF1404STRL	AUIRF1404S
描述	MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms	MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms	MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	519 mJ	519 mJ	519 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V	40 V	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	75 A	75 A	75 A
最大漏极电流 (ID)	75 A	75 A	75 A
最大漏源导通电阻	0.004 Ω	0.004 Ω	0.004 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	200 W	200 W	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	650 A	650 A	650 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-
Factory Lead Time	-	16 weeks	16 weeks

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