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SI9424DY

产品描述MOSFET 20V 7.7A 2.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共1页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI9424DY概述

MOSFET 20V 7.7A 2.5W

SI9424DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SO-8
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7.7 A
最大漏极电流 (ID)7.7 A
最大漏源导通电阻0.025 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Specification Comparison
Vishay Siliconix
Si9424BDY vs. Si9424DY
Description: P-Channel, 2.5 V (G-S) MOSFET
Package:
SOIC-8
Pin Out:
Identical
Part Number Replacements:
Si9424BDY Replaces Si9424DY
Si9424BDY-E3 (Lead (Pb)-free version) Replaces Si9424DY
Si9424BDY-T1 Replaces Si9424DY-T1
Si9424BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free version) Replaces Si9424DY-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current
(MOSFET Diode Conduction)
Power Dissipation
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
and T
stg
R
thJA
Si9424BDY
- 12
±9
- 7.1
- 5.6
- 30
- 1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
62.5
Si9424DY
- 12
±8
- 7.7
- 6.2
- 30
- 2.3
2.5
1.6
- 55 to 150
50
W
°C
°C/W
A
Unit
V
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Junction-to-Ambient
SPECIFICATIONS
T
J
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Static
Gate-Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current
Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
Dynamic
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Switching
Turn-On Time
Turn-Off Time
Source-Drain Reverse Recovery Time
NS denotes parameter not specified in original data sheet.
Specification comparisons are supplied as a courtesy to compare two devices and do not constitute a commercial product datasheet or any
guarantee of identical performance. Designers should refer to the appropriate datasheets of the same number for guaranteed specification limits.
Document Number: 72909
Revision: 10-Nov-06
www.vishay.com
1
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
t
rr
30
40
130
70
50
45
60
200
105
100
40
65
240
140
70
80
130
400
250
120
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
24
3.5
5.8
40
46
6
13
80
nC
V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 2.5 V
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
I
D(on)
r
DS(on)
g
fs
V
SD
- 30
0.014
0.019
25
- 0.7
- 1.2
0.025
0.033
- 0.45
- 0.85
± 100
-1
- 30
0.019
0.024
25
- 0.72
- 1.2
0.025
0.033
- 0.6
± 100
-1
V
nA
µA
A
S
V
Symbol
Si9424BDY
Min
Typ
Max
Min
Si9424DY
Typ
Max
Unit
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