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STH240N10F7-6

产品描述MOSFET POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小632KB,共18页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STH240N10F7-6概述

MOSFET POWER MOSFET

STH240N10F7-6规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
Samacsys DescriptionN-channel 100 V, 0.002 Ω typ., 180 A STripFET™ F7
其他特性ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)180 A
最大漏极电流 (ID)180 A
最大漏源导通电阻0.0025 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G6
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)720 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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