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BFR 183 E6327

产品描述RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小608KB,共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BFR 183 E6327概述

RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW

BFR 183 E6327规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
RF Bipolar Transistors
RoHSDetails
Transistor TypeBipolar
技术
Technology
Si
Transistor PolarityNPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max12 V
Emitter- Base Voltage VEBO2 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
Collector- Base Voltage VCBO20 V
DC Current Gain hFE Max70 at 15 mA at 8 V
高度
Height
1 mm
长度
Length
2.9 mm
Operating Frequency8000 MHz
类型
Type
RF Bipolar Small Signal
宽度
Width
1.3 mm
Maximum DC Collector Current0.065 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
450 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz
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