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IXGH30N60C3C1: 产品描述IGBT Transistors G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小276KB，共7页; 制造商IXYS; 标准

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IGBT Transistors G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A

	IXGH30N60C3C1	IXGA30N60C3C1
描述	IGBT Transistors G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A	IGBT Transistors G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	TO-247	D2PAK
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数	3	4
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	60 A	60 A
集电极-发射极最大电压	600 V	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V
JEDEC-95代码	TO-247	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e1	e3
元件数量	1	1
端子数量	3	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	220 W	220 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	160 ns	160 ns
标称接通时间 (ton)	37 ns	37 ns

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ