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NE55410GR-T3-AZ

产品描述RF MOSFET Transistors Silicon Medium Pwr LDMOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小863KB,共14页
制造商CEL
官网地址http://www.cel.com/
标准
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NE55410GR-T3-AZ在线购买

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NE55410GR-T3-AZ概述

RF MOSFET Transistors Silicon Medium Pwr LDMOSFET

NE55410GR-T3-AZ规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
CEL
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors
RoHSDetails
Transistor PolarityN-Channel
Id - Continuous Drain Current1 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage65 V
技术
Technology
Si
Gain13.5 db at 2.14 GHz
Output Power10 W
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
HTSSOP-16
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
ConfigurationDual
Operating Frequency0.1 GHz to 2.6 GHz
类型
Type
RF Power MOSFET
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
40 W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
Vgs - Gate-Source Voltage7 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.8 V
单位重量
Unit Weight
0.002212 oz
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