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7130LA35CB

产品描述SRAM 8K(1KX8)CMOS DUALPORT RAM
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文件大小225KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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7130LA35CB概述

SRAM 8K(1KX8)CMOS DUALPORT RAM

7130LA35CB规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码SB
包装说明DIP, DIP48,.6
针数48
制造商包装代码SB48
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
Samacsys DescriptionSIDEBRAZE 600 MIL
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T48
JESD-609代码e0
长度60.96 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量48
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP48,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
座面最大高度4.826 mm
最大待机电流0.004 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm

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HIGH SPEED
1K X 8 DUAL-PORT
STATIC SRAM
Features
IDT7130SA/LA
IDT7140SA/LA
LEAD FINISH (SnPb) ARE IN EOL PROCESS - LAST TIME BUY EXPIRES JUNE 15, 2018
High-speed access
– Commercial: 20/25/35/55/100ns (max.)
– Industrial: 25/55/100ns (max.)
– Military: 25/35/55/100ns (max.)
Low-power operation
– IDT7130/IDT7140SA
Active: 550mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT7130/IDT7140LA
Active: 550mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
MASTER IDT7130 easily expands data bus width to 16-or-
more-bits using SLAVE IDT7140
On-chip port arbitration logic (IDT7130 Only)
BUSY
output flag on IDT7130;
BUSY
input on IDT7140
INT
flag for port-to-port communication
Fully asynchronous operation from either port
Battery backup operation–2V data retention (LA only)
TTL-compatible, single 5V ±10% power supply
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Available in 48-pin DIP, LCC and Ceramic Flatpack, 52-pin
PLCC, and 64-pin STQFP and TQFP
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
OE
L
CE
L
R/W
L
OE
R
CE
R
R/W
R
I/O
0L
- I/O
7L
I/O
Control
BUSY
L
A
9L
A
0L
(1,2)
I/O
0R
-I/O
7R
I/O
Control
BUSY
R
Address
Decoder
10
,
(1,2)
MEMORY
ARRAY
10
Address
Decoder
A
9R
A
0R
CE
L
OE
L
R/W
L
ARBITRATION
and
INTERRUPT
LOGIC
CE
R
OE
R
R/W
R
INT
L
(2)
INT
R
2689 drw 01
(2)
NOTES:
1. IDT7130 (MASTER):
BUSY
is open drain output and requires pullup resistor.
IDT7140 (SLAVE):
BUSY
is input.
2. Open drain output: requires pullup resistor.
FEBRUARY 2018
1
DSC-2689/18
©2018 Integrated Device Technology, Inc.
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