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AS7C4096A-12TINTR

产品描述SRAM 4M, 3.3V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch SRAM
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文件大小221KB,共10页
制造商Alliance Memory
标准
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AS7C4096A-12TINTR在线购买

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AS7C4096A-12TINTR概述

SRAM 4M, 3.3V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch SRAM

AS7C4096A-12TINTR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Alliance Memory
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数44
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间12 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.415 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量44
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

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February 2006
®
AS7C4096A
5.0V 512K × 8 CMOS SRAM
Features
• Pin compatible to AS7C4096
• Industrial and commercial temperature
• Organization: 524,288 words × 8 bits
• Center power and ground pins
• High speed
- 10/12/15/20 ns address access time
- 5/6 ns output enable access time
• Equal access and cycle times
• Easy memory expansion with CE, OE inputs
• TTL-compatible, three-state I/O
• JEDEC standard packages
• ESD protection
2000 volts
• Latch-up current
200 mA
- 400 mil 36-pin SOJ
- 44-pin TSOP 2
• Low power consumption: ACTIVE
- 880mW/max @ 10 ns
• Low power consumption: STANDBY
- 55mW/max CMOS
Logic block diagram
V
CC
GND
Input buffer
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
I/O1
Pin arrangement
s
36-pin SOJ (400 mil)
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O1
I/O2
V
CC
GND
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
GND
V
CC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O1
I/O2
V
CC
GND
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
44-pin TSOP 2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
GND
V
CC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
Row decoder
524,288 × 8
Array
(4,194,304)
Sense amp
I/O8
Column decoder
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
WE
OE
CE
Control
Circuit
Selection guide
Maximum address access time
Maximum outputenable access time
Maximum operating current
Maximum CMOS standby current
–10
10
5
160
10
–12
12
6
140
10
–15
15
6
120
10
–20
20
6
100
10
Unit
ns
ns
mA
mA
2/21/06, v 1.2
Alliance Semiconductor
P. 1 of 10
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