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AUIRL3705ZL

产品描述MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小743KB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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AUIRL3705ZL概述

MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms

AUIRL3705ZL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
其他特性AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)180 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.008 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)340 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

AUIRL3705ZL相似产品对比

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描述 MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms MOSFET 55V, 86A, 12mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 16 weeks 16 weeks 16 weeks 16 weeks
其他特性 AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 180 mJ 180 mJ 180 mJ 180 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 55 V 55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 75 A 75 A 75 A 75 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.008 Ω 0.008 Ω 0.008 Ω 0.008 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-263AB TO-263AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 130 W 130 W 130 W 130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 340 A 340 A 340 A 340 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES NO
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
JESD-609代码 e3 e3 e3 -
湿度敏感等级 1 1 1 -
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier -
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