GS840H18AGT-166,GS840H18AGT-166 pdf中文资料,GS840H18AGT-166引脚图,GS840H18AGT-166电路-Datasheet-电子工程世界

GS840H18AGT-166: 产品描述256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs; 产品类别存储存储; 文件大小515KB，共30页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

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GS840H18AGT-166概述

256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	8.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	4718592 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	PURE MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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