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71V424L12YG: 产品描述SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小73KB，共9页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ36,.44
针数	36
制造商包装代码	PBG36
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J36
JESD-609代码	e3
长度	23.5 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ36,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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