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IRG4BC10SDPBF

产品描述IGBT Transistors 600V DC-1kHz
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小313KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRG4BC10SDPBF概述

IGBT Transistors 600V DC-1kHz

IRG4BC10SDPBF规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C14 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
38 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
系列
Packaging
Tube
高度
Height
8.77 mm (Max)
长度
Length
10.54 mm (Max)
宽度
Width
4.69 mm (Max)
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz

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