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BYV28-050-TAP

产品描述Rectifiers 3.5 Amp 50 Volt 90 Amp IFSM
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BYV28-050-TAP在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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BYV28-050-TAP概述

Rectifiers 3.5 Amp 50 Volt 90 Amp IFSM

BYV28-050-TAP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明E-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码E-LALF-W2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流90 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3.5 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BYV28-50, BYV28-100, BYV28-150, BYV28-200
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode
FEATURES
• Controlled avalanche characteristic
• Low forward voltage
• Ultra fast recovery time
• Glass passivated junction
• Hermetically sealed package
• AEC-Q101 qualified
949588
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-64
Terminals:
plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity:
color band denotes cathode end
Mounting position:
any
Weight:
approx. 858 mg
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Very fast rectification e.g. for switch mode power supply
ORDERING INFORMATION
(Example)
DEVICE NAME
BYV28-200
BYV28-200
ORDERING CODE
BYV28-200-TR
BYV28-200-TAP
TAPED UNITS
2500 per 10" tape and reel
2500 per ammopack
MINIMUM ORDER QUANTITY
12 500
12 500
PARTS TABLE
PART
BYV28-50
BYV28-100
BYV28-150
BYV28-200
TYPE DIFFERENTIATION
V
R
= 50 V; I
F(AV)
= 3.5 A
V
R
= 100 V; I
F(AV)
= 3.5 A
V
R
= 150 V; I
F(AV)
= 3.5 A
V
R
= 200 V; I
F(AV)
= 3.5 A
PACKAGE
SOD-64
SOD-64
SOD-64
SOD-64
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Reverse voltage = repetitive peak reverse
voltage
TEST CONDITION
PART
BYV28-50
BYV28-100
BYV28-150
BYV28-200
BYV28-50
BYV28-100
BYV28-150
BYV28-200
SYMBOL
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
RSM
V
RSM
V
RSM
V
RSM
I
FSM
I
FRM
I
F(AV)
E
R
T
j
= T
stg
VALUE
50
100
150
200
55
110
165
220
90
25
3.5
20
- 55 to + 175
UNIT
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
mJ
°C
See electrical characteristics
Peak reverse voltage, non repetitive
See electrical characteristics
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Average forward current
Pulse energy in avalanche mode, non
repetitive (inductive load switch off)
Junction and storage temperature range
t
p
= 10 ms, half sine wave
I
(BR)R
= 1 A, Tj = 175 °C
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Junction ambient
TEST CONDITION
Lead length l = 10 mm, T
L
= constant
On PC board with spacing 25 mm
SYMBOL
R
thJA
R
thJA
VALUE
25
70
UNIT
K/W
K/W
Rev. 1.9. 02-May-16
Document Number: 86044
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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