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15KP51C-5AE3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小84KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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15KP51C-5AE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

15KP51C-5AE3规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压69.3 V
最小击穿电压56.7 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散15000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散7 W
最大重复峰值反向电压51 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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