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GT50J301: 产品描述N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小275KB，共5页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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GT50J301概述

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknow
Samacsys Descripti	IGBT Transistors 3PL IGBT PP2,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
其他特性	HIGH SPEED
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	50 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	300 ns
门极发射器阈值电压最大值	8 V
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	200 W
最大功率耗散 (Abs)	200 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	500 ns
标称接通时间 (ton)	400 ns
VCEsat-Max	2.7 V

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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