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5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
5 A, 600 V, N沟道 IGBT
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 其他特性 | HIGH SPEED |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf） | 300 ns |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 45 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 500 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 400 ns |
| GT5J311 | GT5J331(SM) | GT5J311SM | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT | 5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT | 5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 |
| 端子位置 | SINGLE | 单一的 | 单一的 |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER 控制 | POWER 控制 |
| 晶体管元件材料 | SILICON | 硅 | 硅 |
| 额定关断时间 | - | 500 ns | 500 ns |
| 最大集电极电流 | - | 5 A | 5 A |
| 最大集电极发射极电压 | - | 600 V | 600 V |
| 加工封装描述 | - | 铅 FREE, 2-10S1C, 3 PIN | 铅 FREE, 2-10S1C, 3 PIN |
| 状态 | - | EOL/LIFEBUY | EOL/LIFEBUY |
| 包装形状 | - | 矩形的 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | - | IN-线 | IN-线 |
| 端子涂层 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 包装材料 | - | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 |
| 结构 | - | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
| 壳体连接 | - | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 通道类型 | - | N沟道 | N沟道 |
| 晶体管类型 | - | INSULATED GATE BIPOLAR | INSULATED GATE BIPOLAR |
| 额定导通时间 | - | 400 ns | 400 ns |
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