电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MX1N5807U4

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, CERAMIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小269KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

MX1N5807U4概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, CERAMIC PACKAGE-3

MX1N5807U4规格参数

参数名称属性值
包装说明R-CBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-CBCC-N3
JESD-609代码e4
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最大输出电流6 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
HIGH RELIABILITY POWER RECTIFIER
125 Amps Surge Rating
Ceramic Surface Mount (U4 Style)
DEVICES
LEVELS
1N5807U4
1N5809U4
1N5811U4
MX
MV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Peak Repetitive
1N5807U4
1N5807U4M
Reverse Voltage
1N5809U4
1N5809U4M
1N5811U4
1N5811U4M
Average Forward Current, Te
C
= 75°
Peak Surge Forward Current @ t
p
= 8.3ms, half sine
T
C
= 25°C, T = 1/120s
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating Case Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
Value
50
100
150
6
125
6.5
-65°C to 175°C
-65°C to 175°C
Unit
V
RWM
V
I
F
I
FSM
R
θjc
T
C
T
stg
A
A
°C/W
°C
°C
U4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Forward Voltage
I
F
= 3A, T
A
= 25°C*
I
F
= 4A, T
A
= 25°C*
I
F
= 6A, T
A
= 25°C*
Reverse Current
V
R
= 50, T
A
= 25°C
V
R
= 100, T
A
= 25°C
V
R
= 150, T
A
= 25°C
Reverse Current
V
R
= 50, T
A
= 125°C
V
R
= 100, T
A
= 125°C
V
R
= 150, T
A
= 125°C
1N5807U4
1N5809U4
1N5811U4
1N5807U4
1N5809U4
1N5811U4
1N5807U4M
1N5809U4M
1N5811U4M
1N5807U4M
1N5809U4M
1N5811U4M
Symbol
Min.
Max.
.865
.875
.925
Unit
V
F
V
I
R
5
μA
U4M
I
R
525
μA
Reverse Recovery Time
I
F
= I
RM
= 1.0A
1N5807U4
i
(REC)
= 0.1A
1N5809U4
di/dt = 100A/us (min)
1N5811U4
1N5807U4M
1N5809U4M
1N5811U4M
Trr
525
μA
* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%
Note:
T4-LDS-0147 Rev. 1 (091865)
Page 1 of 4
BSL编程问题
机器工作正常,但是用BSL重新编程,会出现Synchronization error 这是什么原因? 编程软件MSPFET ,USB转串口方式...
wonter 微控制器 MCU
ISE11.0 中怎么调用RAM
ISE11.0 怎么条用片内RAM,我没用过ISE11.0...
eeleader FPGA/CPLD
嵌入式实时操作系统 SylixOS 年内开源!!
SylixOS 实时嵌入式系统,是专门针对嵌入式时间关键的复杂应用而设计的实时操作系统。实时性好,稳定性强,第一代内核 Phoenix 已有多个商业应用实例。 目前,第二代内核 LongWing 开发渐入 ......
为科学执着 嵌入式系统
晒晒我收到的 ZRtech Altera CycloneIV FPGA开发板
ZRtech Altera CycloneIV FPGA开发板收到了, 板子做工不错, 这两天正忙于装软件, 先上点图, 谢谢版主让我赶上了这次活动。 当然也谢谢TAOBAO卖家 http://item.taobao.com/i ......
holts FPGA/CPLD
无需重新设计电路板?三大提示助你显著改善降压转换器中的EMI!
电磁干扰(EMI)始终对汽车电源终端设备构成挑战。随着轻度混合动力电动汽车(MHEV)解决方案的兴起,EMI变得更具挑战性,因为系统中的许多电子电路的电池电压从12 V变为48 V。 大多数 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
请问BOOTLOAD中怎么跳转到RAM中的MAIN函数中
网上看了些资料,基本上是说先拷贝代码到RAM,然后考RW、ZI什么的,最后跳转到RAM的MAIN函数中,有些不明白,烦请各位能提点一下: 我打算用ADS编译一个BOOTLOAD,程序放FLASH中,运行时在RAM ......
kwyxp 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2540  2602  787  2523  146  56  52  34  27  48 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved