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S71WS256NC0BAWAN3

产品描述IC,MIXED MEMORY,FLASH+PSRAM,CMOS,BGA,84PIN,PLASTIC
产品类别存储   
文件大小332KB,共13页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准
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S71WS256NC0BAWAN3概述

IC,MIXED MEMORY,FLASH+PSRAM,CMOS,BGA,84PIN,PLASTIC

S71WS256NC0BAWAN3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最长访问时间80 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B84
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+PSRAM
端子数量84
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA84,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00007 A
最大压摆率0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1

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S71WS-N
Stacked Multi-Chip Product (MCP)
1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write,
Burst-mode Flash Memory with CellularRAM
Data Sheet
S71WS-N Cover Sheet
Notice to Readers:
This document states the current technical specifications regarding the Spansion
product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,
Preliminary, or Full Production. See
Notice On Data Sheet Designations
for definitions.
Publication Number
S71WS-N_00
Revision
A
Amendment
7
Issue Date
April 4, 2008
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