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IDT7134LA35L48B8

产品描述Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQCC48
产品类别存储   
文件大小99KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7134LA35L48B8概述

Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQCC48

IDT7134LA35L48B8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-XQCC-N48
JESD-609代码e0
内存密度32768 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
端口数量2
端子数量48
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC48,.56SQ,40
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.004 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

 
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