FIFO, 256KX18, 5ns, Synchronous, CMOS, PBGA100, 11 X 11 MM, 1 MM PITCH, BGA-100
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | LBGA, BGA100,10X10,40 |
| 针数 | 100 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 5 ns |
| 其他特性 | ALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE |
| 备用内存宽度 | 9 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133.3 MHz |
| 周期时间 | 7.5 ns |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B100 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 11 mm |
| 内存密度 | 4718592 bi |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256KX18 |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA100,10X10,40 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.5 mm |
| 最大待机电流 | 0.015 A |
| 最大压摆率 | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 11 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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