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IDT72413L45SOG

产品描述FIFO, 64X5, 19ns, Asynchronous, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOIC-20
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文件大小125KB,共10页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT72413L45SOG概述

FIFO, 64X5, 19ns, Asynchronous, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOIC-20

IDT72413L45SOG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP,
针数20
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间19 ns
其他特性FALL THRU 25NS
周期时间22.22 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e3
长度12.8 mm
内存密度320 bi
内存宽度5
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量20
字数64 words
字数代码64
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64X5
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.5 mm
Base Number Matches1

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CMOS PARALLEL FIFO WITH FLAGS 64 x 5
IDT72413
FEATURES:
• First-ln/First-Out Dual-Port memory—45MHz
• 64 x 5 organization
• Low-power consumption
— Active: 200mW (typical)
• RAM-based internal structure allows for fast fall-through time
• Asynchronous and simultaneous read and write
• Expandable by bit width
• Cascadable by word depth
• Half-Full and Almost-Full/Empty status flags
• High-speed data communications applications
• Bidirectional and rate buffer applications
• High-performance CMOS technology
• Available in plastic DIP and SOIC
• Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
°
°
DESCRIPTION:
The IDT72413 is a 64 x 5, high-speed First-In/First-Out (FIFO) that loads
and empties data on a first-in-first-out basis. It is expandable in bit width. All speed
versions are cascad-able in depth.
The FIFO has a Half-Full Flag, which signals when it has 32 or more words
in memory. The Almost-Full/Empty Flag is active when there are 56 or more
words in memory or when there are 8 or less words in memory.
This device is pin and functionally compatible to the MMI67413. It operates
at a shift rate of 45MHz. This makes it ideal for use in high-speed data buffering
applications. This FIFO can be used as a rate buffer, between two digital systems
of varying data rates, in high-speed tape drivers, hard disk controllers, data
communications controllers anD graphics controllers.
The IDT72413 is fabricated using IDTs high-performance CMOS process.
This process maintains the speed and high output drive capability of TTL circuits
in low-power CMOS.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
OUPUT ENABLE
(OE)
DATA
IN
(D
0-4
)
(MR)
MASTER
RESET
INPUT
READY
SHIFT
IN
(IR)
FIFO
INPUT
STAGE
64 x 5
MEMORY
ARRAY
FIFO
OUTPUT
STAGE
DATA
OUT
(Q
0-4
)
(SO)
INPUT
CONTROL
LOGIC
REGISTER
CONTROL
LOGIC
OUTPUT
CONTROL
LOGIC
(OR)
SHIFT
OUT
OUPUT
READY
(SI)
FLAG
CONTROL
LOGIC
HALF-FULL (HF)
ALMOST-FULL/
EMPTY (AF/E)
2748 drw 01
IDT and the IDT logo are trademarks of Integrated Device Technology, Inc.
FAST is a trademark of National Semiconductor, Inc.
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
2003
JULY 2003
1
DSC-2748/9
Integrated Device Technology, Inc. All rights reserved. Product specifications subject to change without notice.

IDT72413L45SOG相似产品对比

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描述 FIFO, 64X5, 19ns, Asynchronous, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOIC-20 FIFO, 64X5, 19ns, Asynchronous, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20 FIFO, 64X5, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20 FIFO, 64X5, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20 FIFO, 64X5, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOIC-20
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC DIP DIP DIP SOIC
包装说明 SOP, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20 DIP, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20 SOP,
针数 20 20 20 20 20
Reach Compliance Code compli compli compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 19 ns 19 ns - 20 ns -
其他特性 FALL THRU 25NS FALL THRU 25NS - FALL THRU 28NS -
周期时间 22.22 ns 22.22 ns - 28.57 ns -
JESD-30 代码 R-PDSO-G20 R-PDIP-T20 - R-PDIP-T20 -
JESD-609代码 e3 e3 - e3 -
长度 12.8 mm 26.162 mm - 26.162 mm -
内存密度 320 bi 320 bi - 320 bit -
内存宽度 5 5 - 5 -
功能数量 1 1 - 1 -
端子数量 20 20 - 20 -
字数 64 words 64 words - 64 words -
字数代码 64 64 - 64 -
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C -
组织 64X5 64X5 - 64X5 -
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE -
可输出 YES YES - YES -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装代码 SOP DIP - DIP -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE - IN-LINE -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified -
座面最大高度 2.65 mm 4.191 mm - 4.191 mm -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V - 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V -
表面贴装 YES NO - NO -
技术 CMOS CMOS - CMOS -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL -
端子面层 Matte Tin (Sn) MATTE TIN - MATTE TIN -
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE -
端子节距 1.27 mm 2.54 mm - 2.54 mm -
端子位置 DUAL DUAL - DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 - 30 -
宽度 7.5 mm 7.62 mm - 7.62 mm -
Base Number Matches 1 1 1 - -
厂商名称 - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
样片申请
我要申请 地址上海闵行区颛兴路50弄东二楼504室 汤伟...
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