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RN1908

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小167KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1908概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN1908规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压50 V
最小直流电流增益 (hFE)80
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V

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RN1507~RN1509
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1507,RN1508,RN1509
Unit: mm
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
Including two devices in SMV
(super mini type with 5 leads)With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN2507~RN2509
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Type No.
RN1907
RN1908
RN1909
R1 (kΩ)
10
22
47
R2 (kΩ)
47
47
22
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.014g
2-3L1A
Equivalent Circuit
(Top View)
Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1507~1509
RN1507
Emitter-base voltage
RN1508
RN1509
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1507~1509
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
6
7
15
100
300
150
−55~150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
*
: Total rating
1
2001-06-07

RN1908相似产品对比

RN1908 RN1507 RN1907 RN1909
描述 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
针数 6 5 6 6
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
最小直流电流增益 (hFE) 80 80 80 70
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) -
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