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1N855

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 900V V(RRM), Silicon, GLASS, SMILAR TO DO-7, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小57KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N855概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 900V V(RRM), Silicon, GLASS, SMILAR TO DO-7, 2 PIN

1N855规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-7
包装说明GLASS, SMILAR TO DO-7, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压900 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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