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HM51S4260ALRR-8

产品描述262, 144-Word x 16-Bit Dynamic Random Access Memory
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共21页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM51S4260ALRR-8概述

262, 144-Word x 16-Bit Dynamic Random Access Memory

HM51S4260ALRR-8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数40
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; BATTERY BACKUP; SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP40/44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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