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VUB120-16NO2

产品描述140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小213KB,共4页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
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VUB120-16NO2概述

140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

VUB120-16NO2规格参数

参数名称属性值
端子数量16
最大集电极电流140 A
最大集电极发射极电压1200 V
加工封装描述MODULE-16
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层GOLD OVER NICKEL
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
壳体连接ISOLATED
元件数量1
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR

VUB120-16NO2相似产品对比

VUB120-16NO2 VUB120-12NO2 VUB160-16NO2
描述 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
端子数量 16 16 16
最大集电极电流 140 A 140 A 140 A
最大集电极发射极电压 1200 V 1200 V 1200 V
加工封装描述 MODULE-16 MODULE-16 MODULE-16
无铅 Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子涂层 GOLD OVER NICKEL GOLD OVER NICKEL GOLD OVER NICKEL
端子位置 UPPER UPPER UPPER
包装材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
壳体连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
元件数量 1 1 1
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
通道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
晶体管类型 INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR

 
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