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SMU15N05

产品描述N-Channel Enhancement-Mode Transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小352KB,共4页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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SMU15N05概述

N-Channel Enhancement-Mode Transistors

SMU15N05规格参数

参数名称属性值
厂商名称TEMIC
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)24 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON

SMU15N05相似产品对比

SMU15N05 SMD15N05
描述 N-Channel Enhancement-Mode Transistors N-Channel Enhancement-Mode Transistors
厂商名称 TEMIC TEMIC
Reach Compliance Code unknow unknow
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 15 A 15 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 0.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251 TO-252
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 24 A 24 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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