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RN2113

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小173KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2113概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN2113规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
VCEsat-Max0.3 V

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RN2112,RN2113
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2112,RN2113
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN1112, RN1113
Unit: mm
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−5
−100
100
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 2.4mg
2-2H1A
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
°
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Input resistor
RN2112
RN2113
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
f
T
C
ob
R1
Test
Circuit
Test Condition
V
CB
=
−50V,
I
E
= 0
V
EB
=
−5V,
I
C
= 0
V
CE
=
−5V,
I
C
=
−1mA
I
C
=
−5mA,
I
B
=
−0.25mA
V
CE
=
−10V,
I
C
=
−5mA
V
CB
=
−10V,
I
E
= 0, f = 1MHz
Min
120
15.4
32.9
Typ.
−0.1
200
3
22
47
Max
−100
−100
400
−0.3
6
28.6
61.1
Unit
nA
nA
V
MHz
pF
kΩ
1
2001-06-07

RN2113相似产品对比

RN2113 RN2112
描述 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 120 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V

 
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