HY29F040AT-12,HY29F040AT-12 pdf中文资料,HY29F040AT-12引脚图,HY29F040AT-12电路-Datasheet-电子工程世界

HY29F040AT-12: 产品描述512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory; 产品类别存储存储; 文件大小196KB，共40页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY29F040AT-12概述

512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数	32
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
其他特性	MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e6
长度	18.4 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	8
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP32,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	64K
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	8 mm

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