电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

HY57V643220DLTP-6

产品描述4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM
产品类别存储    存储   
文件大小216KB,共13页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

HY57V643220DLTP-6概述

4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM

HY57V643220DLTP-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数86
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G86
JESD-609代码e6
长度22.238 mm
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量86
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP86,.46,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.194 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度10.16 mm

推荐资源

热门文章更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 22  875  925  1441  1534 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved