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HY5V66ELF6-5

产品描述64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O
产品类别存储    存储   
文件大小212KB,共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5V66ELF6-5概述

64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

HY5V66ELF6-5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA60,7X15,25
针数60
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间4.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度10.1 mm
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,7X15,25
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.1 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.65 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6.4 mm
运动运动心跳最高值监测
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