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HYB18T1G800BFL-3.7

产品描述1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
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文件大小2MB,共74页
制造商QIMONDA
标准
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HYB18T1G800BFL-3.7概述

1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

HYB18T1G800BFL-3.7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称QIMONDA
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA68,9X19,32
针数68
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)266 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B68
长度17 mm
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量68
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织128MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA68,9X19,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大压摆率0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10 mm

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