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HYB18T512161BF-33

产品描述512-Mbit x16 DDR2 SDRAM
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文件大小1MB,共41页
制造商QIMONDA
标准
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HYB18T512161BF-33概述

512-Mbit x16 DDR2 SDRAM

HYB18T512161BF-33规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称QIMONDA
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA84,9X15,32
针数84
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)300 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B84
长度12.5 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA84,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.129 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10 mm

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December 2006
H Y B1 8T 5 1 2161B F
512-Mbit x16 DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
RoHS compliant
Internet Data Sheet
Rev. 1.43

HYB18T512161BF-33相似产品对比

HYB18T512161BF-33 HYB18T512161BF-26 HYB18T512161BF HYB18T512161BF-22 HYB18T512161BF-28
描述 512-Mbit x16 DDR2 SDRAM 512-Mbit x16 DDR2 SDRAM 512-Mbit x16 DDR2 SDRAM 512-Mbit x16 DDR2 SDRAM 512-Mbit x16 DDR2 SDRAM
是否Rohs认证 符合 - - 符合 符合
厂商名称 QIMONDA - - QIMONDA QIMONDA
零件包装代码 BGA - - BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA84,9X15,32 - - TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA84,9X15,32
针数 84 - - 84 84
Reach Compliance Code unknow - - unknow unknown
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST - - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.6 ns - - 0.45 ns 0.55 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 300 MHz - - 450 MHz 350 MHz
I/O 类型 COMMON - - COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 - - 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B84 - - R-PBGA-B84 R-PBGA-B84
长度 12.5 mm - - 12.5 mm 12.5 mm
内存密度 536870912 bi - - 536870912 bi 536870912 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM - - DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 - - 16 16
功能数量 1 - - 1 1
端口数量 1 - - 1 1
端子数量 84 - - 84 84
字数 33554432 words - - 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 - - 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C - - 95 °C 95 °C
组织 32MX16 - - 32MX16 32MX16
输出特性 3-STATE - - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA - - TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA84,9X15,32 - - BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH - - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED 260
电源 1.8 V - - 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 - - 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm - - 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES - - YES YES
连续突发长度 4,8 - - 4,8 4,8
最大待机电流 0.004 A - - 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.129 mA - - 0.173 mA 0.149 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V - - 2.1 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V - - 1.9 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V - - 2 V 1.8 V
表面贴装 YES - - YES YES
技术 CMOS - - CMOS CMOS
温度等级 OTHER - - OTHER OTHER
端子形式 BALL - - BALL BALL
端子节距 0.8 mm - - 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM - - BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED 40
宽度 10 mm - - 10 mm 10 mm
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