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HYB18T512400AF-3S

产品描述512-Mbit DDR2 SDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共117页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB18T512400AF-3S概述

512-Mbit DDR2 SDRAM

HYB18T512400AF-3S规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数60
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度10.5 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织128MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度10 mm
Base Number Matches1

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D a t a S he et , Rev. 1.3, J a n. 2 00 5
HYB18T512400AF
HYB18T512800AF
HYB18T512160AF
512-Mbit DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
RoHS Compliant Products
M e m or y P r o du c t s
N e v e r
s t o p
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