HYB18TC1G800BF-3.7概述

1-Gbit DDR2 SDRAM

HYB18TC1G800BF-3.7规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	QIMONDA
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA68,9X19,32
针数	68
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B68
长度	17 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	68
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	128MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA68,9X19,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10 mm

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September 2006

H Y B1 8T C 1G 80 0 AF

H Y B1 8T C 1G 16 0 AF

1-Gbit DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM

RoHS Compliant

Internet Data Sheet

Rev. 1.11

HYB18TC1G800BF-3.7相似产品对比

	HYB18TC1G800BF-3.7	HYB18TC1G160BF-3S	HYB18TC1G800BF-3S	HYB18TC1G160AF	HYB18TC1G800AF	HYB18TC1G800BF-5	HYB18TC1G160BF-5
描述	1-Gbit DDR2 SDRAM	1-Gbit DDR2 SDRAM	1-Gbit DDR2 SDRAM	1-Gbit DDR2 SDRAM	1-Gbit DDR2 SDRAM	1-Gbit DDR2 SDRAM	1-Gbit DDR2 SDRAM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-	-	符合	符合
厂商名称	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	-	-	QIMONDA	QIMONDA
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	-	-	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA68,9X19,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA68,9X19,32	-	-	TFBGA, BGA68,9X19,32	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数	68	84	68	-	-	68	84
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknown	-	-	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	-	-	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns	0.45 ns	0.45 ns	-	-	0.6 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz	333 MHz	333 MHz	-	-	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	-	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	-	-	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B68	R-PBGA-B84	R-PBGA-B68	-	-	R-PBGA-B68	R-PBGA-B84
长度	17 mm	17 mm	17 mm	-	-	17 mm	17 mm
内存密度	1073741824 bi	1073741824 bi	1073741824 bit	-	-	1073741824 bi	1073741824 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	-	-	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	16	8	-	-	8	16
湿度敏感等级	3	3	3	-	-	3	3
功能数量	1	1	1	-	-	1	1
端口数量	1	1	1	-	-	1	1
端子数量	68	84	68	-	-	68	84
字数	134217728 words	67108864 words	134217728 words	-	-	134217728 words	67108864 words
字数代码	128000000	64000000	128000000	-	-	128000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	128MX8	64MX16	128MX8	-	-	128MX8	64MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	-	-	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA68,9X19,32	BGA84,9X15,32	BGA68,9X19,32	-	-	BGA68,9X19,32	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	-	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	-	-	260	260
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	-	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	-	-	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	-	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	-	-	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	-	-	4,8	4,8
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	-	-	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-	-	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	-	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	-	-	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	-	CMOS	CMOS
端子形式	BALL	BALL	BALL	-	-	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	-	-	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	-	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	-	-	40	40
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	-	-	10 mm	10 mm

HYB18TC1G800BF-3.7

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