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HYB18TC512160BF-3S: 产品描述512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共61页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYB18TC512160BF-3S概述

512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

HYB18TC512160BF-3S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	QIMONDA
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数	84
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
长度	12.5 mm
内存密度	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C
最低工作温度
组织	32MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.007 A
最大压摆率	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10 mm

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September 2006

HYB18TC512160BF

HYB18TC512800BF

512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

DDR2 SDRAM

RoHS Compliant Products

Internet Data Sheet

Rev. 1.11

HYB18TC512160BF-3S相似产品对比

	HYB18TC512160BF-3S	HYB18TC512160BF	HYB18TC512160BF-2.5	HYB18TC512160BF-3	HYB18TC512800BF-3S	HYB18TC512800BF-3.7	HYB18TC512800BF-3	HYB18TC512160BF-3.7	HYB18TC512800BF-5	HYB18TC512160BF-5
描述	512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	QIMONDA	-	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA
零件包装代码	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32	-	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数	84	-	84	84	60	60	60	84	60	84
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns	-	0.4 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.5 ns	0.6 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	-	400 MHz	333 MHz	333 MHz	266 MHz	333 MHz	266 MHz	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	-	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	-	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84
长度	12.5 mm	-	12.5 mm	12.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	12.5 mm	10.5 mm	12.5 mm
内存密度	536870912 bi	-	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	-	16	16	8	8	8	16	8	16
湿度敏感等级	3	-	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	-	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	-	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	84	-	84	84	60	60	60	84	60	84
字数	33554432 words	-	33554432 words	33554432 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	33554432 words	67108864 words	33554432 words
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工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C	-	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C
组织	32MX16	-	32MX16	32MX16	64MX8	64MX8	64MX8	32MX16	64MX8	32MX16
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	-	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32	-	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	-	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	-	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.007 A	-	0.007 A	0.007 A	0.007 A	0.007 A	0.007 A	0.007 A	0.007 A	0.007 A
最大压摆率	0.24 mA	-	0.255 mA	0.17 mA	0.152 mA	0.145 mA	0.13 mA	0.23 mA	0.141 mA	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	-	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	-	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	-	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	-	40	40	40	40	40	40	40	40
宽度	10 mm	-	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm

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