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HYB25D512800CE-6

产品描述DDR SDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共42页
制造商QIMONDA
标准
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HYB25D512800CE-6概述

DDR SDRAM

HYB25D512800CE-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称QIMONDA
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSSOP66,.46
针数66
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e3
长度22.22 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织64MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP66,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.0046 A
最大压摆率0.205 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10.16 mm
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