电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HYB3165160T-60

产品描述4M x 16-Bit Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小373KB,共26页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HYB3165160T-60概述

4M x 16-Bit Dynamic RAM

HYB3165160T-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G54
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

文档预览

下载PDF文档
4M x 16-Bit Dynamic RAM
(4k & 8k Refresh)
HYB 3164160T -50/-60
HYB 3165160T -50/-60
Preliminary Information
4 194 304 words by 16-bit organization
0 to 70 ˚C operating temperature
Fast access and cycle time
RAS access time:
50 ns (-50 version)
60 ns (-60 version)
Cycle time:
90 ns (-50 version)
110 ns (-60 version)
CAS access time:
13 ns ( -50 version)
15 ns ( -60 version)
Fast page mode cycle time
35 ns (-50 version)
40 ns (-60 version)
Single + 3.3 V (± 0.3V) power supply
Low power dissipation
max. 396 active mW ( HYB 3164160T-50)
max. 360 active mW ( HYB 3164160T-60)
max. 504 active mW ( HYB 3165160T-50)
max. 432 active mW ( HYB 3165160T-60)
7.2 mW standby (TTL)
720 W standby (MOS)
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh (CBR),
RAS-only refresh, hidden refresh and self refresh modes
Fast page mode capability
2 CAS / 1 WRITE byte control
8192 refresh cycles/128 ms , 13 R/ 9C addresses (HYB 3164160T)
4096 refresh cycles/ 64 ms , 12 R/ 10C addresses (HYB 3165160T)
Plastic Package: P-TSOPII-54-1 500 mil
Semiconductor Group
5

HYB3165160T-60相似产品对比

HYB3165160T-60 HYB3164160T-50 HYB3165160T-50 HYB3164160T HYB3164160T-60
描述 4M x 16-Bit Dynamic RAM 4M x 16-Bit Dynamic RAM 4M x 16-Bit Dynamic RAM 4M x 16-Bit Dynamic RAM 4M x 16-Bit Dynamic RAM
厂商名称 SIEMENS SIEMENS SIEMENS - SIEMENS
Reach Compliance Code unknow unknow unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE - FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 50 ns 50 ns - 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH - RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 - R-PDSO-G54
内存密度 67108864 bi 67108864 bi 67108864 bi - 67108864 bi
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM - FAST PAGE DRAM
内存宽度 16 16 16 - 16
功能数量 1 1 1 - 1
端口数量 1 1 1 - 1
端子数量 54 54 54 - 54
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words - 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 - 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16 - 4MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
刷新周期 4096 8192 4096 - 8192
自我刷新 YES YES YES - YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V - 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V
表面贴装 YES YES YES - YES
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 992  714  1010  1561  1659  40  17  30  42  46 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved